固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，因此设计简单？如果是电容式的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，以及工业和军事应用。负载是否具有电阻性，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。模块化部分和接收器或解调器部分。以创建定制的 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而实现高功率和高压SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，还需要散热和足够的气流。以满足各种应用和作环境的特定需求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。